韩国研讨团队成功使用标准小于1 nm（纳米）的一维金属材料制作超精密晶体管。这一打破性的效果不只代表了下一代半导体技能的重大打破，并且代表了根底材料科学的重大打破。

　　韩国根底科学研讨所（IBS）范德华量子固体中心主任JO Moon-Ho领导的研讨团队完成了宽度小于1的一维金属材料的外延成长纳米。使用这项技能，研讨小组开发了一种二维半导体逻辑电路的新结构。有必要留意一下的是，这种一维金属被用作超小型晶体管的栅电极。

　　在传统的半导体制作工艺中，因为光刻分辨率的约束，一向无法将栅极长度减小到几纳米以下。但是，研讨小组重视的事实是，二硫化钼（MoS2 ）的镜面孪生鸿沟（MTB）是一种宽度仅为0.4 nm的一维金属。使用它作为栅电极，他们可以打破光刻工艺的约束。

　　这种一维MTB金属相是经过在原子水平上操控现有二维半导体的晶体结构并将其转换为一维MTB来完成的。与 FinFET 和 GAA 等技能比较，根据 1D MTB 的晶体管还具有共同的优势。 研讨人员表明，新式晶体管的“简略结构和极窄的栅极宽度最大极限地减少了寄生电容”，来提升了稳定性。

　　电气和电子工程师协会（IEEE）世界半导体技能道路年左右，半导体节点技能将到达约0.5纳米，晶体管栅极长度将到达12纳米。但是，研讨团队开发的一维MTB栅极调制的沟道宽度能减小到仅为3.9 nm。这可以说是一项远远超出惯例未来猜测的成果。

　　JO Moon-Ho 谈论如下： “经过外延成长完成的一维金属相是一种可使用于超标准半导体工艺的新材料工艺，未来将成为开发各种低功耗、高功能电子器件的重要技能。这是预料之中的。”

　　这项立异技能不只为半导体职业敞开了新的或许性，并且有或许明显进步下一代电子科技类产品的功能。估计未来研讨和开发将获得发展。

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