11月22日上午，就在研微半导体落户无锡经开区两周年之际，该企业自主研制的首台国内先进纳米制程原子层堆积设备发车出厂，交给国内头部客户。

　　此次交给的设备是国内现在先进的金属原子层堆积设备，该拳头产品在精度、功率及稳定性等方面完结质的腾跃，技能上已达到世界领先水平，成功添补国内金属原子层堆积范畴的空白，可以有用应对制程推动和线宽缩小所带来的电阻率上升问题，一举处理这一长时间困扰职业开展的难题。

　　研微公司的创始人、CEO林兴博士介绍，这台300mm半导体设备针对芯片中深邃宽比结构的台阶覆盖不良等问题，可以给我们供给优异的堆积均匀性和一致性，在精度、功率及稳定性等方面完结质的腾跃。

　　不仅如此，该设备还可以有用应对半导体逻辑芯片向5nm及更先进制程推动和线宽缩小所带来的电阻率上升问题，用先进ALD的办法堆积新一代金属资料，一举处理这一长时间困扰职业开展的难题。“待批量化出产后，具有较高性价比优势。”研微相关负责人表明。

　　现在，研微已有多款原子层堆积设备产品完结样片检测，正逐渐进入客户工厂做验证出产。值得一提的是，研微研制的High-K资料的原子层设备是选用全球创始的双腔架构，在相同占地面积的情况下完结了产能提高近两倍。归纳功能、价格等要素，与同种类型的产品比较，这款产品可下降用户归纳运用本钱30%—40%。

　　研微半导体作为经开区集成电路配备范畴的代表企业，致力于半导体薄膜堆积技能的研制与立异。从单项技能打破到产品线多元化开展，企业已具有国内最全且最先进的ALD设备技能和外延设备技能，成功开宣布多款整机设备，成为高端半导体范畴的立异前锋。