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中环新能获得选择性掺杂结构、TOPcon电池专利起到阻隔磷掺杂多晶硅层与金属电极的效果
中环新能获得选择性掺杂结构、TOPcon电池专利起到阻隔磷掺杂多晶硅层与金属电极的效果 时间: 2025-01-11 01:14:34 |   作者: 华体会体彩

  金融界2024年10月17日音讯,国家知识产权局信息数据显现,中环新能(安徽)先进电池制作有限公司获得一项名为“一种选择性掺杂结构、TOPcon电池”的专利,授权公告号 CN 221841849 U,请求日期为2023年11月。

  专利摘要显现,本请求触及一种选择性掺杂结构,所述选择性掺杂结构包含:硅片,所述硅片的一面的区域划分为触摸区和非触摸区;设置在所述硅片的一面的隧穿氧化层;设置在所述隧穿氧化层外表的磷掺杂多晶硅层,所述触摸区的多晶硅的磷掺杂浓度高于所述非触摸区;设置在所述触摸区内的掺杂多晶硅层外表的磷掺杂纳米硅粉层;设置在所述触摸区内的掺杂多晶硅层外表的金属电极;钝化层,所述钝化层设置在所述非触摸区内的掺杂多晶硅层外表,以及所述磷掺杂纳米硅粉层外表未被金属电极占有的区域。本请求经过在所述触摸区内的掺杂多晶硅层外表设置磷掺杂纳米硅粉层,可以更好的起到阻隔磷掺杂多晶硅层与金属电极的效果,避免掺杂多晶硅层也简单被金属电极穿透。