流动的器件。它由金属栅极、氧化物绝缘层、半导体衬底和源漏电极组成。MOSFET的是通过在栅极上施加电压，改变半导体衬底表面的电荷浓度，从而控制源漏电极之间的电流。

　　（2）栅极电压为正电压时，氧化物绝缘层上的正电荷吸引半导体衬底表面的自由电子，形成导电沟道。沟道的宽度和形状取决于栅极电压的大小。

　　（3）当栅极电压达到阈值电压时，沟道完全形成，源漏电极之间的电流开始流动。

　　（4）继续增加栅极电压，沟道的宽度和电导率增加，源漏电极之间的电流也随之增加。

　　（5）栅极电压为负电压时，氧化物绝缘层上的负电荷排斥半导体衬底表面的自由电子，沟道消失，源漏电极之间的电流为0。

　　（1）高输入阻抗：由于栅极与源漏电极之间通过氧化物绝缘层隔离，栅极电流几乎为0，因此MOSFET具备极高的输入阻抗。

　　（2）低导通电阻：MOSFET的导通电阻主要由沟道电阻和接触电阻组成，能够最终靠优化工艺和设计来降低。

　　（3）快速开关速度：MOSFET的开关速度主要根据栅极电容的充放电时间，能够最终靠减小栅极电容来提高开关速度。

　　（4）良好的线性特性：MOSFET的输出特性曲线具有较好的线性，能够适用于的放大和处理。

　　（5）易于集成：MOSFET的制造工艺与CMOS工艺兼容，可以与其他半导体器件集成在同一芯片上。

　　（1）数字电路：MOSFET是构成数字逻辑电路的基本元件，如与非门、或非门等。

　　（3）功率电子：MOSFET能够适用于功率电子领域，如开关电源电机驱动等。

　　（5）传感器：MOSFET能够适用于传感器的信号处理，如温度传感器压力传感器等。

　　（1）N沟道MOSFET：沟道由N型半导体材料形成，常用于数字电路和模拟电路。

　　（2）P沟道MOSFET：沟道由P型半导体材料形成，常用于负载驱动和电源管理。

　　（3）增强型MOSFET：栅极电压达到阈值电压时，沟道才形成，具有较高的输入阻抗。

　　（4）耗尽型MOSFET：即使栅极电压为0，沟道也存在，具有较低的阈值电压。

　　（6）测试和封装：对MOSFET进行性能测试，接着进行封装，形成最终产品。

　　随着电子技术的持续不断的发展，MOSFET也在持续不断的发展和改进，主要体现在以下几个方面：

　　（2）新材料应用：采用新型半导体材料，如硅基氧化物、碳纳米管等，能大大的提升MOSFET的性能。

　　晶体管也称场效应管，简称FET（FieldEffectTransistor）。它是一种电压控制

　　器件，由输入电压产生的电场效应来控制输出电流的大小。它工作时只有一种载流子（多数载流子）参与

　　说明根据我读的《步进电机应用技术》这本书，进行的学习过程中的知识记录和心得体会的记录。5.3

　　晶体管，而且知道你正在使用哪种类型是很重要的。每种电机，都有一个不同的电路。示例代码将控制两种

　　管 场效应管（简称FET）是利用输入电压产生的电场效应来控制输出电流的，所以又称之为电压控制

　　管 /

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　　晶体管(IGBT)是啥意思 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅

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　　晶体管IGBT结温估算 /

　　功率器件优值系数∈《碳化硅技术基础原理——生长、表征、器件和应用》 /

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