上星期，使用资料公司揭开了其最新资料工程处理计划的奥秘面纱，这些处理计划旨在使铜布线 纳米及以下，一起下降电阻并增强芯片的三维堆叠才能。

　　该公司的 Black Diamond 低介电资料从 2000 年代初就开端供给。这种资料在铜线周围构成一层特别的薄膜，可削减电荷的积累，而电荷的积累会添加功耗并构成电信号之间的搅扰。

　　现在，使用资料公司推出了增强版Black Diamond，逐渐下降了最小 K 值，从而使铜布线 纳米节点，一起还提高了机械强度--这是芯片制造商期望笔直堆叠多个逻辑和内存芯片时的一项要害功能。

　　可是，跟着尺度的缩小，铜线自身的缩放是另一个巨大的应战。现在，最先进的逻辑芯片可包容超越 60 英里长的铜线，首要要在介电资料上蚀刻出沟槽，然后堆积一层超薄阻挡层，以避免铜线搬迁。在终究的铜堆积填满剩下空间之前，还要堆积一层衬垫层，以协助铜的附着。

　　问题在于，在 2nm 及以下尺度时，阻挡层和衬垫层耗费的可用沟槽体积份额渐渐的变大，就没有满足的空间来填充铜，并有或许发生高电阻和牢靠性问题。使用资料公司使用这种全新的资料组合处理了这一难题。

　　他们最新的集成资料处理计划（IMS）将六种不同的核心技能整合到一个高真空体系中，包含业界创始的钌和钴配对技能，以构成超薄的 2 纳米二元金属衬垫。与前几代产品比较，衬垫厚度削减了 33%，一起还改进了外表功能，完成了无缝、无空地的铜粘赞同回流。终究，芯片布线%，来提升了功能并削减了功率走漏。

　　使用资料公司称，一切抢先的逻辑芯片制造商都已选用其新式铜阻挡层种子 IMS 与钌 CVD 技能出产 3 纳米芯片，估量 2 纳米节点也将选用这种技能。

　　该公司还估量，跟着反面功率传输计划的引进，其芯片布线处理计划的服务可用商场总额将从现在的每 10 万片晶圆约 60 亿美元激增到 70 多亿美元。

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